制造商: Diodes Incorporated 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-223-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 60 V 

Id-连续漏极电流: 5.6 A 

Rds On-漏源导通电阻: 68 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V 

Qg-栅极电荷: 10.3 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 2 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

封装: Tube 

系列: DMN6068  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: Diodes Incorporated  

正向跨导 - 最小值: 19.7 S  

下降时间: 8.7 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 10.8 ns  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 11.9 ns  

典型接通延迟时间: 3.6 ns  

单位重量: 240 mg

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